南瑞华

2023年07月14日 18:24  点击:[]

基本信息

姓名:  南瑞华 出生年月:1978.10

学历:  研究生 学位:工学博士

职称:  副教授                                                     `          职务:无

学院:  材料与化工学院 联系方式:nanrh@xatu.edu.cn

学习经历

2007年至2013年:西北工业大学 材料学院,材料学 博士

2002年至2005年:西安理工大学 材料学院,材料物理与化学 硕士

1998年至2002年:西安理工大学 材料学院,材料科学与工程 学士

工作经历

2005年至2007年:西安电瓷研究所,技术人员

2013年至2019年:西安工业大学,讲师

2019年至今:西安工业大学,副教授

招生信息

每年招收硕士生2-3名。

教育教学

所属团队:

1.西安工业大学凝固理论与功能材料科研创新团队(2010

2.省级材料物理教学团队(2013

3.省级精品资源共享课程《冶金传输原理》教学团队(2015

4.信息感知材料与器件化应用陕西省高等学校重点实验室核心成员(2024

主讲课程:

材料科学基础(无机非),物理化学,普通化学,材料工艺课程设计等

教学获奖:

1.逐梦寰宇问苍穹——中国特色飞天路的发展历程与材料力量,2023西安工业大学课程思政优秀案例三等奖,2023.08, 1/2

2.半导体单晶制备与发展,2022西安工业大学科教融合优秀案例三等奖,2022.09, 1/1

3.基于OBE教育理念的材料科学基础教学模式改革,西安工业大学教学成果二等奖,2019.072/5

4.科学研究范式在材料科学与工程本科专业基础课教学中的迁移融合,西安工业大学教学成果二等奖,2019.073/5

5.指导学生参加全国研究生材料实验分析大赛、全国大学生金相技能大赛、陕西省大学生综合分析大赛、中国国际大学生创新大赛、“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛、“挑战杯”中国大学生创业计划竞赛等,共获各类奖项总计10余项。

研究方向

1.有机-无机杂化新型钙钛矿晶体材料与器件

2. II-VI族化合物半导体晶体材料与器件

3.凝固与晶体生长技术

科研项目

1.国家自然科学基金51502234):CdZnTe晶体的点缺陷及高电阻机制研究,主持,2016.01-2018.12

2.陕西省自然科学基础研究计划2018JM5097):微观缺陷调控下探测器用碲化镉基晶体材料的生长及电学性能研究,主持2018.01-2019.12

3.凝固技术国家重点实验室开放基金SKLSP201410):CdZnTe晶体的点缺陷研究及对光电性能的影响,主持,2014.07-2016.07

4.西安工业大学院长基金A/X位离子掺杂调控MAPbX3单晶的结构对称性稳定性和光电性能主持2024.01-2024.12

5.横向项目低成本大尺寸ABX3型钙钛矿单晶材料开发,主持,2025.10-2026.10

6.横向项目:一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料及其制备方法(专利实施许可),主持2024.07-2025.6

7.陕西省教育厅重点科学研究计划项目25JS053):辐射探测器用低缺陷密度金属卤化物钙钛矿单晶生长与离子掺杂改性,主要参与,2026.01-2028.12

8.国家重点研发计划子课题2024YFB3614404:多波段异质堆叠探测器结构及焦平面集成工艺研究,参与2024.12-2027.11

9.***发展部装备预先研究领域基金809***501***压电***研究,参与,2021.12-2022.05

10.国家自然科学基金51602242):点缺陷调控的PSN-PMN-PT弛豫铁电单晶晶格结构、电畴与极性疲劳研究,参与,2017.01-2019.12

11.国家自然科学基金11404251):气敏金属氧化物半导体纳米球壳的制备和电输运调控,参与,2015.01-2017.12

12.国家自然科学基金61274081):深能级陷阱对CdZnTe晶体电学性能及辐射探测器性能的影响,参与,2013.01-2016.12

13.陕西省自然科学基础研究计划2019JM-414):纳米异质结球壳在光催化降解中光生载流子分离与迁移能力的调控,参与,2019.01-2020.12

14.陕西省自然科学基础研究计划2015JQ5142):尺寸效应和晶体缺陷对Bi基铁电材料光催化性能的影响机制研究,参与,2015.01-2016.12

学术成果

1.南瑞华, 刘腾, 坚佳莹, 甲胺基金属卤化物MAPbX3铁电半导体的研究进展, 西安工业大学学报, 2024, 44(2): 192-208

2.南瑞华, 武春燕, 刘腾等, 大尺寸高质量CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶的生长机理、相转变与光学性能, 物理学报(Acta Physica Sinica), 2023, 72(13): 138101

3.Heng Wang, Ruihua Nan, Zengyun Jian, et al., Step-controlled growth of MAPbBr3 single crystal and temperature-dependent variations of MA+ cations during nonphase transition, Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, 135: 106107

4.Hongxia Shen, Ruihua Nan, Zengyun Jian, et al., Defect step controlled growth of perovskite MAPbBr3 single crystal, Journal of Materials Science, 2019, 54: 11596-11603

5.Ruihua Nan, Tao Li, Gang Xu, et al., Distribution of microscopic defects in Al-doped CdZnTe, Journal of Materials Science, 2018, 53: 4387–4394

6.Ruihua Nan, Tao Li, Zengyun Jian, et al., Macroscopic effects and microscopic origins of gamma-ray irradiation on In-doped CdZnTe crystal, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, 29: 20462–20469

7.南瑞华, 王朋飞, 坚增运等, CdZnTe像素探测器的电输运性能, 物理学报(Acta Physica Sinica), 2017, 66(20): 206101

8.Peng-fei Wang, Rui-hua Nan, Zeng-yun Jian, The relationship between deep-level defects and high resistivity characteristic in CdZnTe crystals, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017, 28: 5568–5573

9.Peng-fei Wang, Rui-hua Nan, Zeng-yun Jian, The effects of deep-level defects on the electrical properties of Cd0.9Zn0.1Te crystals, Journal of Semiconductors, 2017, 38(6): 062002

10.Ruihua Nan, Tao Wang, Gang Xu, et al., Compensation processes in high-resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al, Journal of Crystal Growth, 2016, 451: 150–154

11.Ruihua Nan, Wanqi Jie, Gangqiang Zha, et al., Relationship between high resistivity and the deep level defects in CZT:In, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, 2013, 705: 32-35

12.南瑞华, 武春燕, 王恒, 张曦, 靳长清, 一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法, 2023.04, 发明专利: ZL202210418717.2

13.南瑞华, 王恒, 申红霞, 王吉, 扈琳等, 一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料及其制备方法, 2021.12, 发明专利: ZL202110243322.9

14.魏永星, 闫俊龙, 靳长清, 张华伟, 扈琳, 南瑞华, 一种具备超高压电常数的弛豫铁电体PNN-PHT的合成方法, 2023.04,发明专利: ZL202210844665.5

15.魏永星, 张宁, 靳长清, 扈琳, 南瑞华, 一种具有温度稳定性的BKT基储能电介质材料及其合成方法, 2021.12, 发明专利: ZL202010498252.7

16.许岗, 郭炎飞, 谷智, 南瑞华, 李高宏等, 一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法, 2016.05, 发明专利: ZL201410082226.0

17.辐射探测器用X位取代MAPbBr3钙钛矿单晶的生长与应用, 陕西省第六届研究生创新成果展三等奖,2022.12, 1/2(第一指导教师)

18.辐射探测用碘化汞晶体气相法和溶液法生长机理研究,陕西省高等学校科学技术奖二等奖2018.035/8



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