基本信息
姓名:许岗 出生年月：1973.12
学历:研究生 学位：工学博士
职称:副教授 职务：无机非金属材料系主任
学院:材料与化工学院 联系方式：Xxrshhuangshan @126.com
学习经历
2004年至2010年：西北工业大学 材料与化工学院，半导体晶体 博士
2001年至2004年：西安工业大学 材料与化工学院，无机非金属材料 硕士
1993年至1997年：西安工业大学 材料与化工学院，热加工工艺及设备 学士
工作经历
1997年至2010年：西安工业大学，助教，学生辅导员，学生支部书记
2003年至2010年：西安工业大学，讲师
2010年至今：西北工业大学，副教授
招生信息
每年招收硕士生2-3名，博士生×××名。
教育教学
所属团队：
1. 西安工业大学凝固理论与功能材料科研创新团队（2010）
2. 《金属材料工程》省级优秀教学团队（2007）
3. 《金属材料工程》省级特色专业教师团队（2007）
4. 《金属材料工程》国家级特色专业教师团队（2008）
5. 省级材料物理教学团队（2013）
6. 省级精品资源共享课程《材料加工基础》教学团队（2013）
7. 省级精品资源共享课程《冶金传输原理》教学团队（2015）
主讲课程：
铸件成型理论，冶金传输原理，专业外语，半导体物理，工程材料学
教研论文：
1. 科学主义研究范式的教学思想应用——《冶金传输原理》教学思想和方法的探索
中小企业管理与科技(上旬刊) 2015（3）
2. 思维导图在专业课教学中的应用于实践 高教研究学报 2013（4）
3. 冶金传输原理教学方法改革探索 高教研究学报 2011(55)
4. 面向制造企业需求的焊接人才培养新方法实践 高教研究学报 2009（4）
教改项目：
1.《冶金传输原理》的教学目标浅析—如何提高工科学生的科学素养
教学改革研究项目 13JGY09
2.以思维导图辅助的差异化多手段多媒体教学方法研究 教学改革研究项目11JGY06
3.《冶金传输原理》教学思想方法的改革探索 教学改革研究项目090306
4.焊接工程师培养模式及焊接工艺课程设计教改初探 教学改革研究项目080305
指导学生：
项目：
1. 溶胶凝胶法一步工艺制备疏水性FAS-SiO2复合薄膜
第五届高新“挑战杯”陕西省大学生课外学术科技作品竞赛
2. 聚噻吩-稀土复合电致发光薄膜的制备研究
第十五届“探索杯”大学生课外科技学术作品竞赛
3. 溶液法生长碘化汞（HgI2）籽晶层的方法与机理研究
2014年国家级大学生创新创业训练计划项目
获奖：
1. 溶胶凝胶法一步工艺制备疏水性FAS-SiO2复合薄膜
第五届高新“挑战杯”陕西省大学生课外学术科技作品竞赛三等奖
2. 溶胶凝胶法一步工艺制备疏水性FAS-SiO2复合薄膜
第十一届“探索杯”大学生课外科技学术作品一等奖
3. 聚噻吩-稀土复合电致发光薄膜的制备研究
第十五届“探索杯”大学生课外科技学术作品一等奖
研究方向
凝固理论与光电材料物理；功能玻璃材料； 无机非金属功能材料； 凝固与晶体生长技术
学术兼职
中国兵工学会会员，陕西省腐蚀与防护学会会员，西安市铸造学会会员
科研项目
1. 核辐射探测器用HgI2单晶体物理气相法生长工艺
西安应用材料创新基金XA-AM-20081
2. 碘化汞多晶薄膜的生长（1-3期） 某大型国企
3. 多元合金熔体结构和形核规律及其控制原理 科技部2011CB610403
4. 无凝固收缩铝-硅合金的形成规律和细化机理研究 国家自然科学基金委51171136
5. HgI2在异质单晶衬底上的形核机理 西安工大省级重点实验室开放基金ZSKJ201414
6. 溶液法生长 HgI2晶体机理研究 陕西省教育厅科研计划项目15JS040
7. CdZnTe晶体的点缺陷及高电阻机制研究 国家自然科学基金青年基金51502234
学术成果
专利
1.一种生长碘化汞单晶体的立式炉 实用新型 ZL200920034617.X
2.一种生长碘化汞单晶体的立式炉及该单晶体的生长方法 发明 ZL200910023947.3
3.一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法 发明 201410082226.0
科研获奖
1. 核辐射探测器用HgI2单晶体物理气相法生长工艺 西安工业大学科学技术一等奖
2. 过共晶高硅铝合金复合变质与电磁搅拌细化研究 西安工业大学科学技术二等奖
3. 电极材料对碘化汞晶体电学性能的影响 陕西省腐蚀与防护学会暨陕西省光电功能材料与器件重点实验室“2012年先进材料制造技术暨腐蚀与防护学术交流会”论文一等奖
学术论文（一作）
序号 |
论 文 题 目 |
刊物名称 |
1 |
碘化汞(α-HgI2)晶体生长及其性能表征 |
人工晶体学报 |
2 |
溶胶-凝胶法一步工艺制备疏水性FAS-SiO2 复合薄膜。 |
硅酸盐通报 |
3 |
电极材料对碘化汞(α-HgI2)晶体I-V特性的影响 |
人工晶体学报 |
4 |
HgI2晶体溅射Au电极与化学渡Au电极的I-V特性比较 |
人工晶体学报 |
5 |
Study of trapping levels in a-HgI2 crystals by UV and isothermal current measurements |
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A |
6 |
碘化汞(α-HgI2)晶体气相生长中的形貌转变研究 |
材料导报 |
7 |
结构缺陷对HgI2晶体光吸收的影响 |
人工晶体学报 |
8 |
Heat treating and detectors characterization of α-HgI2. |
Rare metal materials and engineering |
9 |
M/HgI2接触性能分析 |
材料导报 |
10 |
HgI2同质外延薄膜的气相生长和探测器性能 |
功能材料与器件学报 |
11 |
HgI2晶体最低生长温度的确定 |
人工晶体学报 |
12 |
电极材料对碘化汞晶体电学性能的影响 |
2012年先进材料制造技术暨腐蚀与防护学术交流会 |
13 |
HgI2多晶薄膜的气相同质外延生长 |
半导体光电 |
14 |
Study on growth of large area mercuric iodide polycrystalline film and its X-ray Imaging |
|
15 |
HgO-HI-H2O体系中碘化汞结晶形貌研究 |
人工晶体学报 |
