信息材料与器件研究所

1.研究所名称：信息材料与器件研究所

2.研究所简介：研究所面向未来信息化社会需求，致力于信息感知（力、光、声、电、热、磁信号）材料和信息存储材料的研究，及相关器件的研制和应用。团队承担国家自然科学基金委、科技部、装备发展部、陕西省科技厅等多项科研任务，在Acs Nano., Appl. Phys. Lett., J. Eur. Ceram. Soc., J. Am. Ceram. Soc., Carbon, Nanotechnology, Scr. Mater., J. Power Sources, J. Mater. Sci. Technol., Chem. Eng. J.等期刊发表论文100余篇，获陕西省自然科学奖二等奖1项，获陕西省高校科学技术奖二等奖2项。

3.团队成员介绍

4.团队亮点工作介绍

（1）无铅钙钛矿单晶材料

   突破了助熔剂法生长钙钛矿单晶的核心技术， 成功生长了高质量的 BNT 单晶、 BNT-BT-KNN、 BNT-BT-NN 和BNT-BKT-BT 等多种无铅钙钛矿单晶。其中， BNT单晶达到 16×16×10 mm³，剩余极化强度超过55 mC/cm²；BNT-BT-KNN单晶最大尺寸为 12×11×8 mm³， 电致应变超过0.9 %，逆压电系数超过4500 pm/V。

（2）钙钛矿光电晶体材料

   突破了大尺寸高质量低成本探测器用钙钛矿光电单晶材料的生长技术瓶颈，提出了低温溶液法（<120℃）的一步结晶技术，通过调控晶体形核与长大机制，实现了厘米级高性能钙钛矿光电单晶材料（主要有：MAPbX₃、MAPb(Br_xI_1-x)₃、MAPb(Br_xCl_1-x)₃、CsPbX₃、Cs_xMA_1-xPbX₃等）的一步法生长，在强辐射场环境下使用优势明显，为新型半导体探测器的开发和商业化应用奠定了基础。

（3）新型超低功耗阻变存储器

  低功耗、高开关比是新一代阻变存储器的发展方向，以往的技术难以在降低阻变存储器SET功耗的同时提高其开关比。基于此，提出了一种通过调节过渡金属硫化物的范德华层间隙半径(r_g)来制备低功耗高开关比阻变存储器的方法，使器件开关比的提高与SET功耗的降低得到了同时实现。